本港台开奖现场直播

中国5G芯片关键材料获冲破 将尽快商用推向市场

更新时间:2019-02-22

西安电子科技大学芜湖研究院依附于西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,研发出全国产的基于碳化硅衬底的氮化镓资料,目前在国际第三代半导体技巧范畴处于当先程度,将助力5G通讯制造范围的国产化进程。西电芜湖研讨院技能总监陈兴表示,研究院目前已经把持了氮化镓材料的出产跟5G通信芯片的核心设计与制作才能。下一步他们将尽快将这项技术商用,力争早日推向市场。

2月21日消息,记者近日从西安电子科技大学芜湖研究院获悉,作为芜湖大院大所配合的重点名目,国产化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西电芜湖研究院试制成功,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。

(原标题:中国5G芯片关键材料获冲破 处于国际当先水平)

据介绍,氮化镓半导体材料存在宽带隙、高击穿场强、高热导率、低介电常数、高电子饱和漂移速度、强抗辐射才干和良好化学牢固性等优越物理化学性质。成为继第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓之后制备新一代微电子器件跟电路的关键材料,特别适合于高频率、大功率、高温和抗辐照电子器件与电路的研制。